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QSH29TR详细

TRANS NPN DUAL DIGITAL TSMT6

QSH29TR厂商

Rohm Semiconductor

QSH29TR参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA,电压 - 集射极击穿(最大值):70V,电阻器 - 基底 (R1) (Ω):10k,电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):500 @ 200mA,5V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO),频率 - 跃迁:-,功率 - 最大值:1.25W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6,供应商器件封装:TSMT6

QSH29TR供应商

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